伯东离子刻蚀机IBE用于金铜镍银铂等材料微米级刻蚀

伯东离子刻蚀机 ibe 组成主要包含真空刻蚀腔体 , 样品台 , 离子源等 .

其配置如下 ：

一. 真空腔体

伯东离子刻蚀机 ibe 的真空刻蚀腔体配置的是德国 pfeiffer 分子泵 .

pfeiffer 分子泵抽速范围 10 至 2700 l/s , 转速高 90,000 rpm , 极限真空 1e-11 mbar , 能满足各种各样真空度要求 .

伯东是 pfeiffer vacuum 德国普发真空产品授权代理商 , 销售维修普发 pfeiffer 真空产品已超过 20 年 .

二. 离子源

伯东离子刻蚀机 ibe 配置的美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 kri 考夫曼 离子源 .

可选的离子源包括 ：

射频离子源 : rficp380 , rficp220 , rficp140 , rficp100 , rficp40

考夫曼离子源 : kdc160 , kdc100 , kdc75 , kdc40 , kdc10

霍尔离子源 : eh3000 , eh2000 , eh1000 , eh400 , 线性霍尔离子源 eh linear

伯东公司是美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 kri 考夫曼离子源亚洲总代理 .

三. 样品台

伯东离子刻蚀机 ibe 的样品台可选直接冷却 / 间接冷却 / 水冷 , 而且可以 0-90 度旋转 .

其中基片尺寸大小支持 φ3 inch , φ4 inch , φ5 inch , φ6 inch , φ8 inch 等各种尺寸 .

伯东离子刻蚀机 ibe 优势 :

伯东离子刻蚀机集全球好设备于一身 , 其性能也是优越于市面上绝大部分离子刻蚀机 .

1. 刻蚀材料范围广, 提供微米级刻蚀 , 满足所有材料的刻蚀, 即使对黄金 au , 铂 pt , 合金等金属及半导体材料也能提供优质蚀刻

2. 均匀性高 , 高达 ≤?5%

3. 硅片刻蚀率可达 20 nm/min

4. 样品台冷却方式多 , 可选直接冷却 , 间接冷却

5. 样品台可 0-90 度旋转

伯东离子蚀刻机 ibe 包含小型离子蚀刻用于研究分析和大型离子蚀刻系统用于生产制造 , 已应用于半导体器件 , 集成电路制造 , 薄膜电路 , 印刷电路 , 手机背板镀膜 , 手机广角镜头镀膜等 . 

伯东离子刻蚀机 ibe 可选型号有 : 20ibe-j , 20ibe-c , 10ibe , 7.5ibe

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